Síntesis y caracterización de un compuesto semiconductor NiO-ZnO dopado con nanopartículas de Au por el método sol-gel para aplicación como sensores de gas

  • Alex Díaz y Cols.
Palabras clave: NiO, ZnO, semiconductores, sensor gaseoso

Resumen

Láminas porosas de un compuesto semiconductor formado por NiO-ZnO (%mol) dopado con nanopartículas de Au (3% mol) fueron preparados por el método sol-gel usando acetato de níquel tetrahidratado (NiC4H6O4.4H2O) y acetato de zinc dihidratado (C4H6O4Zn.2H2O) como precursores, metanol (CH6OH) y etanol (C2H6O) como solventes, monoetanolamina (C2H7NO) y dietanolamina (C4H11NO2) como ligantes funcionales, y ácido cloroaúrico HAuCl4 como precursor. Las muestras se caracterizaron por espectroscopias Infrarrojo (IR), ultravioleta (UV-VIS), microscopía SEM, difracción de rayos X (XRD), y ensayos de sensores gaseosos. Las muestras semiconductoras fueron depositadas sobre substratos de silicio por el método de spin-coating a 2000 rpm, posteriormente fueron tratadas a 500 y 600 ºC. Los efectos de las composiciones de NiO-ZnO y el porcentaje de dopaje también se discuten en este argumento. El espesor de la capa fue determinado por elipsometria aproximado a 75 nm. Estos compuestos fueron ensayados para sensores gaseosos de H2 y CO (1% V/V) a 300ºC, demostrando óptimos resultados para el H2, pero no así para el CO.

Publicado
2019-01-07
Sección
ARTÍCULOS ORIGINALES

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